КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ОТКЛОНЕНИЯ ПОЛЯРИЗОВАННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ И ПОЗИТРОНОВ С ЭНЕРГИЕЙ 120 ГЭВ ИЗОГНУТЫМ КРИСТАЛЛОМ КРЕМНИЯ
Аннотация
Моделирование процесса отклонения поляризованных электронов и позитронов с энергией 120 ГэВ в (110) плоскостном канале изогнутого кристалла кремния выполнено с помощью компьютерной программы TROPICS. Показано, что наилучшее согласие между моделированием и результатами эксперимента достигнуто при условии, когда расчетное ограничение по углам влета частиц в кристалл в два раза больше экспериментального. Результаты компьютерного эксперимента показывают сильную зависимость степени деполяризации пучка от знака заряда, так для электронов отсутствует максимум в распределении по углам поворота спина, а для позитронов положение максимума соответствует теоретической оценке, которая получена по формуле В. Л. Любошица.
Об авторах
В. П. Кощеев
Филиал «Стрела» Московского авиационного института в г. Жуковский
Россия
Россия
Ю. Н. Штанов
Филиал Тюменского индустриального университета в г. Сургуте
Россия
Россия
Д. А. Моргун
Сургутский государственный университет; Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований РАН
Россия
Россия
Т. А. Панина
Сургутский государственный университет
Россия
Россия
Список литературы
1. Burmistrov L., Calderini G., Ivanov Yu., Massacrier L., Robbe1 P., Scandale W., Stocchi A. Measurement of Short Living Baryon Magnetic Moment using Bent Crystals at SPS and LHC // CERN-SPSC-2016-030. 2016. URL: http://cds.cern.ch/record/2194564 (дата обращения: 14.10.2017).
2. Gurevich G. M., Lukhanin A. A., Maas F., Plis Yu. A., Sidorin A. O., Smirnov A. V., Thomas A., Usov Yu. A. // In proceedings of “XVIth International Workshop in Polarized Sources, Targets and Polarimetry”, PSTP2015, 14-18 September 2015, Bochum, Germany. URL: https://pos.sissa.it/243/043/pdf (дата обращения: 14.10.2017).
3. Mazzolari A., Bagli E., Bandiera L., Guidi V., Backe H., Lauth W., Tikhomirov V., Berra A., Lietti D., Prest M., Vallazza E., De Salvador D. Steering of a Sub-GeV Electron Beam through Planar Channeling Enhanced by Rechanneling // Phys Rev Lett. 2014. V. 112. P. 135503. DOI: 10.1103/PhysRevLett.112.135503.
4. Wienands U., Markiewicz T. W., Nelson J., Noble R. J., Turner J. L., Uggerhøj U. I., Wistisen T. N., Bagli E., Bandiera L., Germogli G., Guidi V., Mazzolari A., Holtzapple R., Miller M. Observation of Deflection of a Beam of Multi-GeV Electrons by a Thin Crystal // Phys Rev Lett. 2015. V. 114. P. 074801. DOI: 10.1103/PhysRevLett.114.074801.
5. Bagli E., Guidi V., Mazzolari A., Bandiera L., Germogli G., Sytov A.I., De Salvador D., Berra A., Prest M., Vallazza E. Experimental evidence of independence of nuclear dechanneling length on the particle charge sign // Eur Phys J C. 2017. V. 77. №. 2. P. 71-76. DOI: 10.1140/epjc/s10052-017-4642-y.
6. Olive K. A., Agashe K., Amsler C. et al. Particle Data Group // Chin Phys C. 2015. V. 38. P. 090001.
7. Lyuboshits V. L. Spin rotation associated with deflection of relativistic charged particle in an electric field // Yadernaya Fizika. 1980. V. 31. № 4. P. 986-992.
8. Кощеев В. П., Штанов Ю. Н., Моргун Д. А., Панина Т. А. Моделирование процесса отклонения релятивистских электронов изогнутым кристаллом кремния // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. Вып. 19. С. 55-63.
9. Marsaglia G., Bray T. A. A Convenient Method for Generating Normal Variables // SIAM Rev. 1964. V. 6. № 3. P. 260-264. DOI: 10.1137/1006063.
10. Штанов Ю. Н., Кощеев В. П., Моргун Д. А. TROPICS. Программный комплекс для моделирования траекторий движения быстрых заряженных частиц в кристаллах // Библиотека программ «JINRLIB». URL: http://wwwinfo.jinr.ru/programs/jinrlib/tropics/index.html (дата обращения: 14.10.2017).
11. Gemmel D. S. Channeling and related effects in the motion of charged particles through crystals // Rev Mod Phys. 1974. V. 46. № 1. P. 29-235.
12. Doyle P. A, Turner P. S. Relativistic Hartree-Fock X-ray and electron scattering factors // Acta Cryst A. 1968. V. 24. P. 390-397. DOI: 10.1107/S0567739468000756.
13. Штанов Ю. Н., Моргун Д. А., Фокин А. С. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2014618657. М. : Роспатент, 2014.
14. Линдхард Й. Влияние кристаллической решетки на движение быстрых заряженных частиц // УФН. 1969. Т. 99. Вып. 2. С. 249-296. DOI: 10.3367/UFNr.0099.196910c.0249.
15. Kitagawa M., Ohtsuki Y. H. Modified dechanneling theory and diffusion coefficients // Phys Rev В. 1973. V. 8. № 7. P. 3117-3123. DOI: 10.1103/PhysRevB.8.3117.
16. Кощеев В. П., Моргун Д. А., Панина Т. А., Штанов Ю. Н. Влияние квантовых флуктуаций на движение релятивистских протонов в кристаллах // Поверхность. Рентгенов., синхротрон. и нейтрон. исслед. 2012. № 12. С. 57-59.
Рецензия
Для цитирования:
Кощеев В.П., Штанов Ю.Н., Моргун Д.А., Панина Т.А. КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ОТКЛОНЕНИЯ ПОЛЯРИЗОВАННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ И ПОЗИТРОНОВ С ЭНЕРГИЕЙ 120 ГЭВ ИЗОГНУТЫМ КРИСТАЛЛОМ КРЕМНИЯ. Вестник кибернетики. 2017;(4 (28)):83-91.
For citation:
Koshcheev V.P., Shtanov Yu.N., Morgun D.A., Panina T.A. COMPUTER MODELING OF SHIFT PROCESS OF POLARIZED ELECTRONS AND POSITRONS WITH ENERGY OF 120 GEV USING BENT SILICON CRYSTAL. Proceedings in Cybernetics. 2017;(4 (28)):83-91. (In Russ.)
Просмотров:
127
Послать статью по эл. почте 