Для цитирования:

Кощеев В.П., Штанов Ю.Н., Моргун Д.А., Панина Т.А. КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ОТКЛОНЕНИЯ ПОЛЯРИЗОВАННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ И ПОЗИТРОНОВ С ЭНЕРГИЕЙ 120 ГЭВ ИЗОГНУТЫМ КРИСТАЛЛОМ КРЕМНИЯ. Вестник кибернетики. 2017;(4 (28)):83-91.

For citation:

Koshcheev V.P., Shtanov Yu.N., Morgun D.A., Panina T.A. COMPUTER MODELING OF SHIFT PROCESS OF POLARIZED ELECTRONS AND POSITRONS WITH ENERGY OF 120 GEV USING BENT SILICON CRYSTAL. Proceedings in Cybernetics. 2017;(4 (28)):83-91. (In Russ.)